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机译:11 Gaas散射中高场输运过程中电子自旋的弛豫
S. Speziaa; D. Persano Adornoa; N. Pizzolatoab; B. Spagnoloab;
机译:掺锰的块状砷化镓中光功率驱动的电子自旋弛豫区分界
机译:GaAs的电子自旋弛豫,掺杂密度接近金属到绝缘体的转变
机译:金属态n型体GaAs中电子自旋弛豫时间的密度依赖性峰
机译:使用双量子阱异质结构测量GaAs传输过程中自旋极化电子的自旋弛豫
机译:GaAs /(Ga,Al)As多量子阱和块状GaAs中的热电子光电导率
机译:GaAs / AlGaAs量子阱中自旋弛豫的温度和电子密度依赖性
机译:Gaas体积高场输运过程中电子自旋的弛豫
机译:GaAS {11 {11 {11 P {11 {11掺杂了电子杂质的电致发光器件
机译:自旋弛豫变化方法,自旋电流检测方法以及使用自旋弛豫的自旋电子器件
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